| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 2N3501U4 |
| Código da Peça EBEE | E83202194 |
| Pacote | SMD-3P |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $359.2309 | $ 359.2309 |
| 200+ | $139.0186 | $ 27803.7200 |
| 500+ | $134.1319 | $ 67065.9500 |
| 1000+ | $131.7186 | $ 131718.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | MICROCHIP 2N3501U4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 300mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1W | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 50nA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 150V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequência de Transição (fT) | - | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Tipo do transistor | NPN |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $359.2309 | $ 359.2309 |
| 200+ | $139.0186 | $ 27803.7200 |
| 500+ | $134.1319 | $ 67065.9500 |
| 1000+ | $131.7186 | $ 131718.6000 |
