| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 2N2905 |
| Código da Peça EBEE | E83201207 |
| Pacote | TO-39(TO-205AD) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 800mW 100@150mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.8910 | $ 60.8910 |
| 200+ | $23.5643 | $ 4712.8600 |
| 500+ | $22.7356 | $ 11367.8000 |
| 1000+ | $22.3276 | $ 22327.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Folha de Dados | MICROCHIP 2N2905 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | - | |
| Dissipação de potência (Pd) | 800mW | |
| Corrente de corte do coletor (Icbo) | 1uA | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vceo) | 60V | |
| Ganho de corrente DC (hFE-Ic, Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequência de Transição (fT) | - | |
| Voltagem de saturação do coletor-emitter (VCE(sat) ? Ic, Ib) | 1.6V@500mA,50mA | |
| Tipo do transistor | PNP |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.8910 | $ 60.8910 |
| 200+ | $23.5643 | $ 4712.8600 |
| 500+ | $22.7356 | $ 11367.8000 |
| 1000+ | $22.3276 | $ 22327.6000 |
