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MDD(Microdiode Semiconductor) US1M
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | US1M |
| Código da Peça EBEE | E8412437 |
| Pacote | SMA |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.65V@1A 75ns Independent Type 1A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0118 | $ 0.5900 |
| 500+ | $0.0094 | $ 4.7000 |
| 1500+ | $0.0084 | $ 12.6000 |
| 5000+ | $0.0061 | $ 30.5000 |
| 25000+ | $0.0057 | $ 142.5000 |
| 50000+ | $0.0055 | $ 275.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) US1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1kV | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.65V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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