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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MMBT5551-E |
| Código da Peça EBEE | E841371418 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 160V 300mW 80@1mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0099 | $ 0.0990 |
| 100+ | $0.0081 | $ 0.8100 |
| 300+ | $0.0071 | $ 2.1300 |
| 3000+ | $0.0061 | $ 18.3000 |
| 6000+ | $0.0056 | $ 33.6000 |
| 9000+ | $0.0053 | $ 47.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,Bipolar (BJT) | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 6V | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
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