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Infineon Technologies IKW25T120
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IKW25T120 |
| Código da Peça EBEE | E8127955 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247AC-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7479 | $ 6.7479 |
| 10+ | $5.8548 | $ 58.5480 |
| 30+ | $5.3091 | $ 159.2730 |
| 90+ | $4.8526 | $ 436.7340 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Folha de Dados | Infineon IKW25T120 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 1.2kV | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 155nC@15V | |
| Td(off) | 560ns | |
| Td(on) | 50ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 82pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 200ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.86nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 75A | |
| Output Capacitance(Coes) | 96pF |
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