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Infineon Technologies BFR193WH6327
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | BFR193WH6327 |
| Código da Peça EBEE | E8152683 |
| Pacote | SOT-323 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 12V 580mW 70@30mA,8V 80mA NPN SOT-323-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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2105 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2306 | $ 1.1530 |
| 50+ | $0.1850 | $ 9.2500 |
| 150+ | $0.1655 | $ 24.8250 |
| 500+ | $0.1411 | $ 70.5500 |
| 3000+ | $0.1152 | $ 345.6000 |
| 6000+ | $0.1086 | $ 651.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,Bipolar (BJT) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies BFR193WH6327 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 12V | |
| Current - Collector(Ic) | 80mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 580mW | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 2V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 8GHz |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2306 | $ 1.1530 |
| 50+ | $0.1850 | $ 9.2500 |
| 150+ | $0.1655 | $ 24.8250 |
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