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Infineon/Cypress Semicon S34ML02G200TFI000
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S34ML02G200TFI000 |
| Código da Peça EBEE | E892089 |
| Pacote | TSOP-48-18.4mm |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Descrição | 2.7V~3.6V 2Gbit TSOP-48-18.4mm NAND FLASH ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5624 | $ 2.5624 |
| 10+ | $2.1919 | $ 21.9190 |
| 30+ | $1.9615 | $ 58.8450 |
| 96+ | $1.5676 | $ 150.4896 |
| 480+ | $1.4602 | $ 700.8960 |
| 960+ | $1.4135 | $ 1356.9600 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Memória de um ,NAND FLASH (PortuguO) | |
| Folha de Dados | Infineon/Cypress Semicon S34ML02G200TFI000 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interface | - | |
| Tensão - Fornecimento | 2.7V~3.6V | |
| Frequência do relógio | - | |
| Tamanho da memória | 2Gbit | |
| Tempo de Programação de Páginas (Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
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