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Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S34ML02G100BHI003 |
| Código da Peça EBEE | E82759941 |
| Pacote | BGA-63 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 2.7V~3.6V 2Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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15 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5090 | $ 4.5090 |
| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
| 1000+ | $2.5592 | $ 2559.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Memória de um ,NAND FLASH (PortuguO) | |
| Folha de Dados | Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interface | - | |
| Tensão - Fornecimento | 2.7V~3.6V | |
| Frequência do relógio | - | |
| Tamanho da memória | 2Gbit | |
| Tempo de Programação de Páginas (Tpp) | 200us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
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| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
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