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Infineon/Cypress Semicon S25FS512SAGMFI011
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S25FS512SAGMFI011 |
| Código da Peça EBEE | E82909900 |
| Pacote | SOIC-16-300mil |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Descrição | 512Mbit SPI SOIC-16-300mil NOR FLASH ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6093 | $ 7.6093 |
| 10+ | $7.2769 | $ 72.7690 |
| 47+ | $6.3986 | $ 300.7342 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Memória de um ,NOR FLASH (PortuguO) | |
| Folha de Dados | Infineon/Cypress Semicon S25FS512SAGMFI011 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Tensão - Fornecimento | 1.7V~2V | |
| Frequência do relógio | 133MHz | |
| Tamanho da memória | 512Mbit | |
| Tempo de Programação de Páginas (Tpp) | - | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 0.07mA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | - |
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