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HXY MOSFET US1M
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | US1M |
| Código da Peça EBEE | E85199103 |
| Pacote | SMA |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0094 | $ 0.1880 |
| 200+ | $0.0076 | $ 1.5200 |
| 600+ | $0.0065 | $ 3.9000 |
| 2000+ | $0.0056 | $ 11.2000 |
| 10000+ | $0.0051 | $ 51.0000 |
| 20000+ | $0.0048 | $ 96.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET US1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1kV | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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