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HTCSEMI HT65NF06ATZ
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HT65NF06ATZ |
| Código da Peça EBEE | E82874952 |
| Pacote | TO-220AB-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 60V 65A 15mΩ@10V,25A 120W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4918 | $ 0.4918 |
| 10+ | $0.3778 | $ 3.7780 |
| 50+ | $0.3294 | $ 16.4700 |
| 100+ | $0.2685 | $ 26.8500 |
| 500+ | $0.2420 | $ 121.0000 |
| 1000+ | $0.2248 | $ 224.8000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | HTCSEMI HT65NF06ATZ | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 15mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.365nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 600pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
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