| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HT100NF80ASZ |
| Código da Peça EBEE | E82874956 |
| Pacote | TO-263 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 80V 100A 8mΩ@10V,37.5A 173W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7646 | $ 0.7646 |
| 10+ | $0.6353 | $ 6.3530 |
| 30+ | $0.5691 | $ 17.0730 |
| 100+ | $0.5045 | $ 50.4500 |
| 500+ | $0.4099 | $ 204.9500 |
| 1000+ | $0.3894 | $ 389.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | HTCSEMI HT100NF80ASZ | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 8mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 275pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 173W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.22nF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7646 | $ 0.7646 |
| 10+ | $0.6353 | $ 6.3530 |
| 30+ | $0.5691 | $ 17.0730 |
| 100+ | $0.5045 | $ 50.4500 |
| 500+ | $0.4099 | $ 204.9500 |
| 1000+ | $0.3894 | $ 389.4000 |
