Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos

HTCSEMI HT100NF80ASZ


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
HT100NF80ASZ
Código da Peça EBEE
E82874956
Pacote
TO-263
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
-
Descrição
80V 100A 8mΩ@10V,37.5A 173W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>
593 Em Estoque para Envio Rápido
593 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$0.7646$ 0.7646
10+$0.6353$ 6.3530
30+$0.5691$ 17.0730
100+$0.5045$ 50.4500
500+$0.4099$ 204.9500
1000+$0.3894$ 389.4000
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,MOSFETs em
Folha de DadosHTCSEMI HT100NF80ASZ
RoHS
Tipo de tipoN-Channel
RDS (em inglês)8mΩ@10V
Temperatura de funcionamento --55℃~+175℃
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)275pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation173W
Drain to Source Voltage80V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)100A
Ciss-Input Capacitance3.38nF
Output Capacitance(Coss)1.22nF
Gate Charge(Qg)105nC@10V

Guia de Compras

Expandir