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Hangzhou Silan Microelectronics SBD20C100F
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SBD20C100F |
| Código da Peça EBEE | E839186 |
| Pacote | TO-220F-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 850mV@10A 10A TO-220F-3 Schottky Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2691 | $ 1.3455 |
| 50+ | $0.2169 | $ 10.8450 |
| 150+ | $0.1915 | $ 28.7250 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Os diodos ,Diodos de Schottky | |
| Folha de Dados | Hangzhou Silan Microelectronics SBD20C100F | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 50uA@100V | |
| Configuração do diodo | 1 Pair Common Cathode | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@10A | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 150A |
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