| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOP50N10 |
| Código da Peça EBEE | E842412139 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4762 | $ 0.4762 |
| 10+ | $0.4215 | $ 4.2150 |
| 50+ | $0.3950 | $ 19.7500 |
| 100+ | $0.3685 | $ 36.8500 |
| 500+ | $0.3528 | $ 176.4000 |
| 1000+ | $0.3450 | $ 345.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOP50N10 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 18mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 150pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4762 | $ 0.4762 |
| 10+ | $0.4215 | $ 4.2150 |
| 50+ | $0.3950 | $ 19.7500 |
| 100+ | $0.3685 | $ 36.8500 |
| 500+ | $0.3528 | $ 176.4000 |
| 1000+ | $0.3450 | $ 345.0000 |
