| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | BSS8402DWQ-13 |
| Código da Peça EBEE | E817192720 |
| Pacote | SOT-363 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200mW 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3857 | $ 0.3857 |
| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1488 | $ 74.4000 |
| 1000+ | $0.1463 | $ 146.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Folha de Dados | DIODES BSS8402DWQ-13 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 60V;50V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 115mA;130mA | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 13.5Ω@10V,500mA;10Ω@5V,100mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 200mW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.5V@250uA;2V@1mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 50pF@25V;45pF@25V |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3857 | $ 0.3857 |
| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1488 | $ 74.4000 |
| 1000+ | $0.1463 | $ 146.3000 |
