| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AO4264E |
| Código da Peça EBEE | E8334232 |
| Pacote | SOIC-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V,13.5A 1.4V@250uA 1 N-channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2132 | $ 1.0660 |
| 50+ | $0.1731 | $ 8.6550 |
| 150+ | $0.1560 | $ 23.4000 |
| 500+ | $0.1346 | $ 67.3000 |
| 3000+ | $0.1106 | $ 331.8000 |
| 6000+ | $0.1049 | $ 629.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | AOS AO4264E | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 9.8mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 28pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2132 | $ 1.0660 |
| 50+ | $0.1731 | $ 8.6550 |
| 150+ | $0.1560 | $ 23.4000 |
| 500+ | $0.1346 | $ 67.3000 |
| 3000+ | $0.1106 | $ 331.8000 |
| 6000+ | $0.1049 | $ 629.4000 |
