Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)

The Results of Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)1

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  • CISSOID

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Tensione della soglia del portoneu200b

  • 450A

Tensione di alimentazione (VCCB)

  • 6 N-Channel

Tensione della soglia di sorgente di drenaggio

  • 1200V
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1+
$8,345.0826
200+
$3,329.7424
500+
$3,218.4751
1000+
$3,163.4964
Min: 1
Mult: 1
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CXT-PLA3SA12450AAE817662937CISSOIDCISSOID CXT-PLA3SA12450AA
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