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MOSFET
제조업체
- GeneSiC Semiconductor
패키지
- TO-247-4
이득 대역폭 곱(GBP)
- -55℃~+175℃@(Tj)
정격전압
- 1 N-channel
연속 드레인 전류(Id)
- 1.7kV
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)
- 124A
전력 손실(Pd)
- 26mΩ@15V,75A
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)
- 809W
역전송 용량(Crss@Vds)
- 2.7V@15mA
총 게이트 요금(Qg@Vgs)
- 10.187nF@1000V
콜렉터 차단 전류(Icbo)
- 400nC@15V
이미지 | 가격 | 수량 | 재고 상태 | 제조사 부품 번호 | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | 패키지 | 포장 |
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이미지 | 가격 | 수량 | 재고 상태 | 제조사 부품 번호 | eBee 부품 번호 | 제조업체 | 제품명 | 설명 | RoHS | 패키지 | 포장 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $147.0086 30+ $141.0472 | 최소: 1 배수: 1 | - | G3R20MT17K | E83281098 | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K | - | - | TO-247-4 | Tube-packed |
- 1