Transistor / Moduli IGBT

검색 결과 Transistor / Moduli IGBT2

제조업체

  • ANHI

패키지

  • TO-247

Prodotto della larghezza di banda (GBP)

  • -55℃~+175℃

Tensione nominale

  • FS(Field Stop)

Tensione di Emettitore da collezione

  • 60A
  • 75A

Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)

  • 375W
  • 469W

- Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(on))

  • 540ns
  • 211ns

Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces)

  • 125ns
  • 71ns

Capacità di ingresso (Cies-Vce)

  • 650V

Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic)

  • 6.92nF
  • 3.91nF

Carica totale del cancello (Qg-Ic,Vge)

  • 5.45V
  • 5.6V

Tempo di recupero inverso del Diode (Trr)

  • 142nC
  • 254nC

- Si gira? - Si'. Spegnimento di spegnimento (Eoff)

  • 121ns
  • 323ns

- Si gira? - Si'. Perdita di commutazione (Eon)

  • 2.13mJ
  • 2.57mJ

Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic,Vge)

  • 2.38mJ
  • 3.08mJ

Tensione dia-proverso della dide (Vf-If)

  • 1.4V
  • 1.3V
결과:2
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