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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR


제조사
제조사 부품 번호
WSB5558N-2/TR
EBEE 부품 번호
E8240198
패키지
DFN1006-2L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
10+$0.0463$ 0.4630
100+$0.0369$ 3.6900
300+$0.0322$ 9.6600
1000+$0.0287$ 28.7000
5000+$0.0258$ 129.0000
10000+$0.0244$ 244.0000
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유형설명
전체 선택
카테고리다이오드 ,쇼트키 다이오드
데이터시트WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
RoHS
역누설전류(Ir)30uA@30V
다이오드 구성Independent
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)30V
Voltage - Forward(Vf@If)450mV@100mA
Current - Rectified100mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current1A

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