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Vishay Intertech SIHP186N60EF-GE3


제조사
제조사 부품 번호
SIHP186N60EF-GE3
EBEE 부품 번호
E85900034
패키지
TO-220AB
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
600V 18A 193mΩ@10V,9.5A 156W 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$5.1494$ 5.1494
200+$2.0554$ 411.0800
500+$1.9861$ 993.0500
1000+$1.9532$ 1953.2000
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트VISHAY SIHP186N60EF-GE3
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)600V
연속 드레인 전류(Id)18A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)193mΩ@10V,9.5A
전력 손실(Pd)156W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)3V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)52pF@100V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1.081nF@100V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)32nC@10V

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