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Vishay Intertech SI8806DB-T2-E1


제조사
제조사 부품 번호
SI8806DB-T2-E1
EBEE 부품 번호
E8727308
패키지
XFBGA-4
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
12V 3.9A 43mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.1996$ 0.1996
200+$0.0773$ 15.4600
500+$0.0745$ 37.2500
1000+$0.0733$ 73.3000
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트VISHAY SI8806DB-T2-E1
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)12V
연속 드레인 전류(Id)3.9A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@4.5V,1A
전력 손실(Pd)500mW
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)-
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)-
총 게이트 요금(Qg@Vgs)17nC@8V

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