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Vishay Intertech SI1967DH-T1-E3


제조사
제조사 부품 번호
SI1967DH-T1-E3
EBEE 부품 번호
E8727318
패키지
SOT-363
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
20V 1.3A 490mΩ@4.5V,910mA 0.74W 400mV@250uA 2 P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.5075$ 0.5075
200+$0.1964$ 39.2800
500+$0.1895$ 94.7500
1000+$0.1861$ 186.1000
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays
데이터시트VISHAY SI1967DH-T1-E3
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃@(Tj)
유형2 P-Channel
드레인 소스 전압(Vdss)20V
연속 드레인 전류(Id)1.3A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)490mΩ@4.5V,910mA
전력 손실(Pd)0.74W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)16pF@10V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)110pF@10V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)4nC@8V

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