| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CSD75207W15 |
| EBEE 부품 번호 | E8201968 |
| 패키지 | DSBGA-9 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 3.9A 45mΩ@4.5V,1A 700mW 0.8V@1A 2 P-Channel DSBGA-9 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4732 | $ 4.7320 |
| 30+ | $0.4660 | $ 13.9800 |
| 100+ | $0.4606 | $ 46.0600 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | TI CSD75207W15 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 2 P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3.9A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@4.5V,1A | |
| 전력 손실(Pd) | 700mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 0.8V@1A | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 13.5pF@10V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 595pF@10V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4732 | $ 4.7320 |
| 30+ | $0.4660 | $ 13.9800 |
| 100+ | $0.4606 | $ 46.0600 |
