| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STS8DN3LLH5 |
| EBEE 부품 번호 | E82970954 |
| 패키지 | SOIC-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 10A 0.019Ω@10V,5A 2.7W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | ST STS8DN3LLH5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.019Ω@10V,5A | |
| 전력 손실(Pd) | 2.7W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 21pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 724pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 5.4nC@15V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
