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STMicroelectronics STP18N65M2


제조사
제조사 부품 번호
STP18N65M2
EBEE 부품 번호
E8222137
패키지
TO-220-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
650V 12A 0.33Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$2.0247$ 2.0247
10+$1.7610$ 17.6100
30+$1.5948$ 47.8440
100+$1.4268$ 142.6800
500+$1.3510$ 675.5000
1000+$1.3166$ 1316.6000

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유형설명
전체 선택
카테고리
데이터시트ST STP18N65M2
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)650V
연속 드레인 전류(Id)12A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)0.33Ω@10V,6A
전력 손실(Pd)110W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)2V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)1.2pF@100V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)770pF@100V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)20nC@10V

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