| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD7N80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8457497 |
| 패키지 | DPAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 6A 110W 0.95Ω@10V,3A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD7N80K5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 6A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.95Ω@10V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 360pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 13.4nC@640V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
