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STMicroelectronics STD10LN80K5
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD10LN80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8500946 |
| 패키지 | DPAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8265 | $ 1.8265 |
| 10+ | $1.5887 | $ 15.8870 |
| 30+ | $1.4396 | $ 43.1880 |
| 100+ | $1.2870 | $ 128.7000 |
| 500+ | $1.2195 | $ 609.7500 |
| 1000+ | $1.1893 | $ 1189.3000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 0.25pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 427pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 15nC@640V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8265 | $ 1.8265 |
| 10+ | $1.5887 | $ 15.8870 |
| 30+ | $1.4396 | $ 43.1880 |
| 100+ | $1.2870 | $ 128.7000 |
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| 1000+ | $1.1893 | $ 1189.3000 |
