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STMicroelectronics SH32N65DM6AG
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SH32N65DM6AG |
| EBEE 부품 번호 | E85268689 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 32A 208W 89mΩ@10V,23A 3.25V@250uA MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | ST SH32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 32A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 89mΩ@10V,23A | |
| 전력 손실(Pd) | 208W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 0.3pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2211pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 47nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
