| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SMMBFJ175LT1G |
| EBEE 부품 번호 | E8894335 |
| 패키지 | SOT-23-3(TO-236-3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | P-channel 225mW 7mA@15V 125Ω 30V SOT-23-3(TO-236-3) JFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7898 | $ 0.7898 |
| 10+ | $0.6537 | $ 6.5370 |
| 30+ | $0.5847 | $ 17.5410 |
| 100+ | $0.5175 | $ 51.7500 |
| 500+ | $0.4775 | $ 238.7500 |
| 1000+ | $0.4576 | $ 457.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,JFET | |
| 데이터시트 | onsemi SMMBFJ175LT1G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 11pF@10V | |
| 총 장치 손실(Pd) | 225mW | |
| 드레인 전류(Idss@Vds,Vgs=0) | 7mA@15V | |
| FET 유형 | P-channel | |
| 저항에 대한 정적 드레인 소스(RDS(on)) | 125Ω | |
| 게이트 소스 항복 전압(V(BR)GSS) | 30V | |
| 게이트 소스 차단 전압(VGS(off)@ID) | 3V@10nA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7898 | $ 0.7898 |
| 10+ | $0.6537 | $ 6.5370 |
| 30+ | $0.5847 | $ 17.5410 |
| 100+ | $0.5175 | $ 51.7500 |
| 500+ | $0.4775 | $ 238.7500 |
| 1000+ | $0.4576 | $ 457.6000 |
