| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FDS6990S |
| EBEE 부품 번호 | E83289754 |
| 패키지 | SOIC-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 7.5A 2W 22mΩ@10V,7.5A 3V@1mA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1943 | $ 1.1943 |
| 200+ | $0.4632 | $ 92.6400 |
| 500+ | $0.4472 | $ 223.6000 |
| 1000+ | $0.4384 | $ 438.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | onsemi FDS6990S | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 7.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@10V,7.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 2W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 106pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.233nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 11nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1943 | $ 1.1943 |
| 200+ | $0.4632 | $ 92.6400 |
| 500+ | $0.4472 | $ 223.6000 |
| 1000+ | $0.4384 | $ 438.4000 |
