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NXP Semicon BC856B/DG/B3235


제조사
제조사 부품 번호
BC856B/DG/B3235
EBEE 부품 번호
E83201064
패키지
TO-236AB
고객 번호
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
65V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.0608$ 0.0608
200+$0.0236$ 4.7200
500+$0.0228$ 11.4000
1000+$0.0223$ 22.3000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,양극성(BJT)
RoHS
작동 온도-
콜렉터 전류(Ic)100mA
전력 손실(Pd)250mW
콜렉터 차단 전류(Icbo)15nA
콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo)65V
DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce)125@2mA,5V
전환 주파수(fT)100MHz
컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib)650mV@100mA,5mA
트랜지스터 유형PNP

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