| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MSCC60VRM45TAPG |
| EBEE 부품 번호 | E83290167 |
| 패키지 | SP6 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 41A 357W 45mΩ@10V,24.5A 2.1V@3mA SP6 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $439.3459 | $ 439.3459 |
| 200+ | $170.0212 | $ 34004.2400 |
| 500+ | $164.0467 | $ 82023.3500 |
| 1000+ | $161.0941 | $ 161094.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | MICROCHIP MSCC60VRM45TAPG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 유형 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 41A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,24.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 357W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.1V@3mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 7.2nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 150nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $439.3459 | $ 439.3459 |
| 200+ | $170.0212 | $ 34004.2400 |
| 500+ | $164.0467 | $ 82023.3500 |
| 1000+ | $161.0941 | $ 161094.1000 |
