| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | JANSR2N3439 |
| EBEE 부품 번호 | E83201254 |
| 패키지 | TO-39(TO-205AD) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 350V 800mW 40@20mA,10V NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| 데이터시트 | MICROCHIP JANSR2N3439 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| 콜렉터 전류(Ic) | - | |
| 전력 손실(Pd) | 800mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 2uA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 350V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| 전환 주파수(fT) | - | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
