RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $454.6841 | $ 454.6841 |
| 200+ | $181.4234 | $ 36284.6800 |
| 500+ | $175.3605 | $ 87680.2500 |
| 1000+ | $172.3648 | $ 172364.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -65℃~+200℃ | |
| 전력 손실(Pd) | 400mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 400nA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 20V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 40@10mA,1V | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 450mV@10mA,100mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $454.6841 | $ 454.6841 |
| 200+ | $181.4234 | $ 36284.6800 |
| 500+ | $175.3605 | $ 87680.2500 |
| 1000+ | $172.3648 | $ 172364.8000 |
