| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | JANSL2N3439 |
| EBEE 부품 번호 | E86971611 |
| 패키지 | TO-39(TO-205AD) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $940.0609 | $ 940.0609 |
| 200+ | $375.0910 | $ 75018.2000 |
| 500+ | $362.5574 | $ 181278.7000 |
| 1000+ | $356.3638 | $ 356363.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| 데이터시트 | MICROCHIP JANSL2N3439 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+200℃ | |
| 콜렉터 전류(Ic) | 1A | |
| 전력 손실(Pd) | 800mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 2uA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 350V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $940.0609 | $ 940.0609 |
| 200+ | $375.0910 | $ 75018.2000 |
| 500+ | $362.5574 | $ 181278.7000 |
| 1000+ | $356.3638 | $ 356363.8000 |
