RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $392.1694 | $ 392.1694 |
| 200+ | $151.7642 | $ 30352.8400 |
| 500+ | $146.4321 | $ 73216.0500 |
| 1000+ | $143.7953 | $ 143795.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| 전력 손실(Pd) | 360mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 400nA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 20V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 20@100mA,1V | |
| 전환 주파수(fT) | - | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 450mV@100mA,10mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $392.1694 | $ 392.1694 |
| 200+ | $151.7642 | $ 30352.8400 |
| 500+ | $146.4321 | $ 73216.0500 |
| 1000+ | $143.7953 | $ 143795.3000 |
