| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM50HM65FT3G |
| EBEE 부품 번호 | E817597502 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 51A 78mΩ@10V,25.5A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $352.7571 | $ 352.7571 |
| 200+ | $140.7538 | $ 28150.7600 |
| 500+ | $136.0490 | $ 68024.5000 |
| 1000+ | $133.7253 | $ 133725.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 51A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@10V,25.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 390W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 7nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 140nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $352.7571 | $ 352.7571 |
| 200+ | $140.7538 | $ 28150.7600 |
| 500+ | $136.0490 | $ 68024.5000 |
| 1000+ | $133.7253 | $ 133725.3000 |
