RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,158.8817 | $ 1158.8817 |
| 200+ | $462.4010 | $ 92480.2000 |
| 500+ | $446.9506 | $ 223475.3000 |
| 1000+ | $439.3143 | $ 439314.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 99A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 39mΩ@10V,49.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 781W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 14nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 280nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,158.8817 | $ 1158.8817 |
| 200+ | $462.4010 | $ 92480.2000 |
| 500+ | $446.9506 | $ 223475.3000 |
| 1000+ | $439.3143 | $ 439314.3000 |
