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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 37A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 312W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@1mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 4.367nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 96nC@10V |
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| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
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