| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM50DHM38G |
| EBEE 부품 번호 | E817254972 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 90A 694W 45mΩ@10V,45A 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $775.2935 | $ 775.2935 |
| 200+ | $309.3479 | $ 61869.5800 |
| 500+ | $299.0099 | $ 149504.9500 |
| 1000+ | $293.9027 | $ 293902.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM50DHM38G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 90A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,45A | |
| 전력 손실(Pd) | 694W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 11.2nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 246nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $775.2935 | $ 775.2935 |
| 200+ | $309.3479 | $ 61869.5800 |
| 500+ | $299.0099 | $ 149504.9500 |
| 1000+ | $293.9027 | $ 293902.7000 |
