RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $594.5621 | $ 594.5621 |
| 200+ | $237.2344 | $ 47446.8800 |
| 500+ | $229.3071 | $ 114653.5500 |
| 1000+ | $225.3897 | $ 225389.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 99A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 39mΩ@10V,49.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 781W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 14nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 280nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $594.5621 | $ 594.5621 |
| 200+ | $237.2344 | $ 47446.8800 |
| 500+ | $229.3071 | $ 114653.5500 |
| 1000+ | $225.3897 | $ 225389.7000 |
