| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM50AM24SG |
| EBEE 부품 번호 | E817597562 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 150A 1.25kW 28mΩ@10V,75A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $907.7681 | $ 907.7681 |
| 200+ | $362.2068 | $ 72441.3600 |
| 500+ | $350.1024 | $ 175051.2000 |
| 1000+ | $344.1227 | $ 344122.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM50AM24SG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 150A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,75A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.25kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@6mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 19.6nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 434nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $907.7681 | $ 907.7681 |
| 200+ | $362.2068 | $ 72441.3600 |
| 500+ | $350.1024 | $ 175051.2000 |
| 1000+ | $344.1227 | $ 344122.7000 |
