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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,268.1441 | $ 1268.1441 |
| 200+ | $505.9983 | $ 101199.6600 |
| 500+ | $489.0899 | $ 244544.9500 |
| 1000+ | $480.7342 | $ 480734.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 208A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,104A | |
| 전력 손실(Pd) | 781W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 14.4nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 280nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
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| 200+ | $505.9983 | $ 101199.6600 |
| 500+ | $489.0899 | $ 244544.9500 |
| 1000+ | $480.7342 | $ 480734.2000 |
