| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM20DUM05G |
| EBEE 부품 번호 | E85569628 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 317A 1.136kW 6mΩ@10V,158.5A 3V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTM20DUM05G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 317A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,158.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.136kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@10mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 27.4nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 448nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
