Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,085.8659 | $ 1085.8659 |
| 200+ | $433.2681 | $ 86653.6200 |
| 500+ | $418.7898 | $ 209394.9000 |
| 1000+ | $411.6358 | $ 411635.8000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 372A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,186A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.25kW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@10mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 28.9nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 560nC@10V |
쇼핑 가이드
펼치기
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,085.8659 | $ 1085.8659 |
| 200+ | $433.2681 | $ 86653.6200 |
| 500+ | $418.7898 | $ 209394.9000 |
| 1000+ | $411.6358 | $ 411635.8000 |
