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Microchip Tech APTM100H35FT3G
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTM100H35FT3G |
| EBEE 부품 번호 | E817426965 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $372.9141 | $ 372.9141 |
| 200+ | $148.7960 | $ 29759.2000 |
| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 22A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 420mΩ@10V,11A | |
| 전력 손실(Pd) | 390W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 5.2nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 186nC@10V |
쇼핑 가이드
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $372.9141 | $ 372.9141 |
| 200+ | $148.7960 | $ 29759.2000 |
| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
