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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 1kV | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 43A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@10V,21.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 780W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 10.4nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 372nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
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| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
