| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTC60TAM35PG |
| EBEE 부품 번호 | E85569561 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 72A 416W 35mΩ@10V,72A [email protected] 6 N-Channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $824.1713 | $ 824.1713 |
| 200+ | $328.8499 | $ 65769.9800 |
| 500+ | $317.8610 | $ 158930.5000 |
| 1000+ | $312.4312 | $ 312431.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTC60TAM35PG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 6 N-Channel | |
| 구성 | Three-Phase Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 72A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,72A | |
| 전력 손실(Pd) | 416W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 14nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 518nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $824.1713 | $ 824.1713 |
| 200+ | $328.8499 | $ 65769.9800 |
| 500+ | $317.8610 | $ 158930.5000 |
| 1000+ | $312.4312 | $ 312431.2000 |
