| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APTC60HM70RT3G |
| EBEE 부품 번호 | E817647141 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 39A 250W 70mΩ@10V,39A [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2492 | $ 316.2492 |
| 200+ | $126.1865 | $ 25237.3000 |
| 500+ | $121.9695 | $ 60984.7500 |
| 1000+ | $119.8861 | $ 119886.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APTC60HM70RT3G | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 4 N-channel | |
| 구성 | Half Bridge | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 39A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,39A | |
| 전력 손실(Pd) | 250W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 7nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 259nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2492 | $ 316.2492 |
| 200+ | $126.1865 | $ 25237.3000 |
| 500+ | $121.9695 | $ 60984.7500 |
| 1000+ | $119.8861 | $ 119886.1000 |
